Обзор дискретных полупроводниковых приборов фирмы "Harris" для мощных электронных схем. Приведены технические параметры мощных МОП- и IGBT-транзисторов, выпрямительных диодов со сверхбыстрым восстановлением, драйверов мощных МОП- и IGВТ-транзисторов. Техническая информация представлена в виде таблиц, разделенных на несколько крупных блоков в соответствии с функциональным назначением приборов. Для удобства выбора необходимого прибора приводятся тип корпуса и его цоколевка.
СОДЕРЖАНИЕ
Номенклатура изделий фирмы "Harris Semiconductor"
Мощные МОП транзисторы
Введение
Новые разработки
Мощные МОП транзисторы серии UltraFET
Интеллектуальные мощные МОП транзисторы
Мощные МОП транзисторы, управляемые от источников логического
сигнала напряжением до 5 В
n- и p-канальные мощные МОП транзисторы
Мощные МОП транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа
Радиационно-стойкие МОП транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором
Стандартные
Сверхбыстрые импульсные IGBT транзисторы серии C-Speed
Сверхбыстрые импульсные IGBT транзисторы серии B-Speed
IGBT транзисторы повышенной надежности
IGBT транзисторы для цепей зажигания
Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды с ультрабыстрым восстановлением
Выпрямительные диоды с гипербыстрым восстановлением
Сдвоенные выпрямительные диоды с ультрабыстрым
восстановлением
Сдвоенные выпрямительные диоды с гипербыстрым
восстановлением
